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IS61DDB22M36-300M3L

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

器件标准:

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供应商:

器件:IS61DDB22M36-300M3L

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码
BGA
包装说明
LBGA, BGA165,11X15,40
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
0.35 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
300 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e1
长度
17 mm
内存密度
75497472 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
2MX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.5/1.8,1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.89 V
最小供电电压 (Vsup)
1.71 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
10
宽度
15 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与IS61DDB22M36-300M3L相近的元器件有:IS61DDB22M36-300M3LI、IS61DDB22M36-300M3、IS61DDB22M36-250M3L、IS61DDB22M36-250M3、IS61DDB22M36。描述及对比如下:
型号 IS61DDB22M36-300M3L IS61DDB22M36-300M3LI IS61DDB22M36-300M3 IS61DDB22M36-250M3L IS61DDB22M36-250M3 IS61DDB22M36
描述 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 不符合 -
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - -
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA -
包装说明 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 LBGA, BGA165,11X15,40 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 -
针数 165 165 165 165 165 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant -
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A -
最长访问时间 0.35 ns 0.35 ns 0.35 ns 0.35 ns 0.35 ns -
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE -
最大时钟频率 (fCLK) 300 MHz 300 MHz 300 MHz 250 MHz 250 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 -
JESD-609代码 e1 e1 e0 e1 e0 -
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm -
内存密度 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit -
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM -
内存宽度 36 36 36 36 36 -
功能数量 1 1 1 1 1 -
端子数量 165 165 165 165 165 -
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words -
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 2MX36 2MX36 2MX36 2MX36 2MX36 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA -
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED -
电源 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm -
最小待机电流 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V -
最大压摆率 0.6 mA 0.6 mA 0.6 mA 0.55 mA 0.55 mA -
最大供电电压 (Vsup) 1.89 V 1.89 V 1.89 V 1.89 V 1.89 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.71 V 1.71 V 1.71 V 1.71 V 1.71 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
表面贴装 YES YES YES YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL -
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 40 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED -
宽度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm -
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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